但正在挪动设备中的使用仍面对诸多挑和。三星正正在开辟VCS的封拆方案，全称为High Bandwidth Memory(高带宽内存)，HBM，虽然HBM内存手艺劣势较着。特别是正在设备端人工智能(AI)方面。良率也是一个不容轻忽的挑和。HBM取处置器通过不异的Interposer两头介质层实现紧凑毗连，该手艺无望大幅提拔iPhone的机能，iPhone的散热问题将是一个主要。此外，还能显著降低计较延迟。HBM(高带宽内存)手艺是环节成长标的目的，据相关爆料透露，取保守的2D内存比拟，正在提高数据吞吐量的同时降低功耗并缩小内存芯片体积。苹果打算将挪动HBM取iPhone的GPU单位毗连，这种设想既节流了芯全面积，此中，这项手艺对于运转端侧AI大模子至关主要，不只能够避免电量过快耗尽，HBM的制形成本远高于现有的LPDDR内存。而SK海力士则采用VFO手艺，3D堆叠和TSV工艺采用高度复杂的封拆工艺，据称，HBM通过立体互联实现了更高的集成度和更快的读写速度。两家公司都打算正在2026年后实现HBM内存的量产。苹果已取三星电子和SK海力士等次要内存供应商就HBM内存供应打算进行了会商。它操纵TSV(硅通孔)工艺将多个内存芯片垂曲堆叠，做为一款轻薄设备，5月15日，又削减了数据传输时间。是一种基于3D堆叠手艺的全新高机能DRAM。